Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ110N10P

IXTQ110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ110N10P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarHT™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
480W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3550pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 11587 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ110N10P
IXTQ110N10P Komponen elektronik
IXTQ110N10P Penjualan
IXTQ110N10P Pemasok
IXTQ110N10P Distributor
IXTQ110N10P Tabel data
IXTQ110N10P Foto
IXTQ110N10P Harga
IXTQ110N10P Menawarkan
IXTQ110N10P Harga terendah
IXTQ110N10P Mencari
IXTQ110N10P Pembelian
IXTQ110N10P Kepingan