Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ36N30P

IXTQ36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ36N30P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarHT™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2250pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 43480 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ36N30P
IXTQ36N30P Komponen elektronik
IXTQ36N30P Penjualan
IXTQ36N30P Pemasok
IXTQ36N30P Distributor
IXTQ36N30P Tabel data
IXTQ36N30P Foto
IXTQ36N30P Harga
IXTQ36N30P Menawarkan
IXTQ36N30P Harga terendah
IXTQ36N30P Mencari
IXTQ36N30P Pembelian
IXTQ36N30P Kepingan