Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ30N60P

IXTQ30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ30N60P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarHV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
540W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
82nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5050pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30483 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ30N60P
IXTQ30N60P Komponen elektronik
IXTQ30N60P Penjualan
IXTQ30N60P Pemasok
IXTQ30N60P Distributor
IXTQ30N60P Tabel data
IXTQ30N60P Foto
IXTQ30N60P Harga
IXTQ30N60P Menawarkan
IXTQ30N60P Harga terendah
IXTQ30N60P Mencari
IXTQ30N60P Pembelian
IXTQ30N60P Kepingan