Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ18N60P
Pabrikan/Merek
Seri
PolarHV™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
360W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
49nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2500pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 39536 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ18N60P
IXTQ18N60P Komponen elektronik
IXTQ18N60P Penjualan
IXTQ18N60P Pemasok
IXTQ18N60P Distributor
IXTQ18N60P Tabel data
IXTQ18N60P Foto
IXTQ18N60P Harga
IXTQ18N60P Menawarkan
IXTQ18N60P Harga terendah
IXTQ18N60P Mencari
IXTQ18N60P Pembelian
IXTQ18N60P Kepingan