Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IXTQ170N10P

IXTQ170N10P

MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
Nomor Bagian
IXTQ170N10P
Pabrikan/Merek
Seri
Polar™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Disipasi Daya (Maks)
715W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
198nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
6000pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41813 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IXTQ170N10P
IXTQ170N10P Komponen elektronik
IXTQ170N10P Penjualan
IXTQ170N10P Pemasok
IXTQ170N10P Distributor
IXTQ170N10P Tabel data
IXTQ170N10P Foto
IXTQ170N10P Harga
IXTQ170N10P Menawarkan
IXTQ170N10P Harga terendah
IXTQ170N10P Mencari
IXTQ170N10P Pembelian
IXTQ170N10P Kepingan