Beli Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SPB02N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263

Nomor Bagian

SPB02N60S5ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO263-3-2

Disipasi Daya (Maks)

25W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5.5V @ 80µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

240pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50919 PCS

Kontak informasi