Beli Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRLHS6342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

Nomor Bagian

IRLHS6342TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

6-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

6-PQFN (2x2)

Disipasi Daya (Maks)

2.1W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.1V @ 10µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1019pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 27601 PCS

Kontak informasi