Beli Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRLH5030TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Nomor Bagian

IRLH5030TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

PQFN (5x6) Single Die

Disipasi Daya (Maks)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

13A (Ta), 100A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

94nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5185pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 44535 PCS

Kontak informasi