Beli Infineon Technologies IRLHM620TRPBF MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Nomor Bagian

IRLHM620TRPBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerTDFN

Paket Perangkat Pemasok

PQFN (3x3)

Disipasi Daya (Maks)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

26A (Ta), 40A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.1V @ 50µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

78nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3620pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 10V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 5316 PCS

Kontak informasi