IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Nomor Bagian
IRFHM8363TRPBF
Pabrikan/Merek
Seri
HEXFET®
Status Bagian
Not For New Designs
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Kekuatan - Maks
2.7W
Paket Perangkat Pemasok
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tipe FET
2 N-Channel (Dual)
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.35V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1165pF @ 10V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50934 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRFHM8363TRPBF
IRFHM8363TRPBF Komponen elektronik
IRFHM8363TRPBF Penjualan
IRFHM8363TRPBF Pemasok
IRFHM8363TRPBF Distributor
IRFHM8363TRPBF Tabel data
IRFHM8363TRPBF Foto
IRFHM8363TRPBF Harga
IRFHM8363TRPBF Menawarkan
IRFHM8363TRPBF Harga terendah
IRFHM8363TRPBF Mencari
IRFHM8363TRPBF Pembelian
IRFHM8363TRPBF Kepingan