Beli Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRFH3707TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

Nomor Bagian

IRFH3707TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-PQFN (3x3)

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Ta), 29A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.35V @ 25µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

755pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 48254 PCS

Kontak informasi