Beli Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRFHM830TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Nomor Bagian

IRFHM830TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-VQFN Exposed Pad

Paket Perangkat Pemasok

PQFN (3x3)

Disipasi Daya (Maks)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

21A (Ta), 40A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.35V @ 50µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2155pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 12529 PCS

Kontak informasi