Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRFH8337TR2PBF

IRFH8337TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Nomor Bagian
IRFH8337TR2PBF
Pabrikan/Merek
Seri
HEXFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Paket Perangkat Pemasok
PQFN (5x6)
Disipasi Daya (Maks)
3.2W (Ta), 27W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.35V @ 25µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
790pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54614 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IRFH8337TR2PBF
IRFH8337TR2PBF Komponen elektronik
IRFH8337TR2PBF Penjualan
IRFH8337TR2PBF Pemasok
IRFH8337TR2PBF Distributor
IRFH8337TR2PBF Tabel data
IRFH8337TR2PBF Foto
IRFH8337TR2PBF Harga
IRFH8337TR2PBF Menawarkan
IRFH8337TR2PBF Harga terendah
IRFH8337TR2PBF Mencari
IRFH8337TR2PBF Pembelian
IRFH8337TR2PBF Kepingan