Beli Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRFH6200TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Nomor Bagian

IRFH6200TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

PQFN (5x6)

Disipasi Daya (Maks)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

49A (Ta), 100A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.1V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

230nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

10890pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 10V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 37668 PCS

Kontak informasi