Beli Infineon Technologies IRFH5220TR2PBF MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IRFH5220TR2PBF

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Nomor Bagian

IRFH5220TR2PBF

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

HEXFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-VQFN Exposed Pad

Paket Perangkat Pemasok

PQFN (5x6)

Disipasi Daya (Maks)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.8A (Ta), 20A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

99.9 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 100µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1380pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 36191 PCS

Kontak informasi