Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IPSH6N03LB G

IPSH6N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Nomor Bagian
IPSH6N03LB G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO251-3
Disipasi Daya (Maks)
83W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 40µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2800pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23916 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IPSH6N03LB G
IPSH6N03LB G Komponen elektronik
IPSH6N03LB G Penjualan
IPSH6N03LB G Pemasok
IPSH6N03LB G Distributor
IPSH6N03LB G Tabel data
IPSH6N03LB G Foto
IPSH6N03LB G Harga
IPSH6N03LB G Menawarkan
IPSH6N03LB G Harga terendah
IPSH6N03LB G Mencari
IPSH6N03LB G Pembelian
IPSH6N03LB G Kepingan