IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V TO-220
Nomor Bagian
IPP50R199CPHKSA1
Pabrikan/Merek
Seri
CoolMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3-1
Disipasi Daya (Maks)
139W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
550V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 660µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1800pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 31243 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1 Komponen elektronik
IPP50R199CPHKSA1 Penjualan
IPP50R199CPHKSA1 Pemasok
IPP50R199CPHKSA1 Distributor
IPP50R199CPHKSA1 Tabel data
IPP50R199CPHKSA1 Foto
IPP50R199CPHKSA1 Harga
IPP50R199CPHKSA1 Menawarkan
IPP50R199CPHKSA1 Harga terendah
IPP50R199CPHKSA1 Mencari
IPP50R199CPHKSA1 Pembelian
IPP50R199CPHKSA1 Kepingan