IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
Nomor Bagian
IPP410N30NAKSA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO-220-3
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
300V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
87nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
7180pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 11480 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPP410N30NAKSA1
IPP410N30NAKSA1 Komponen elektronik
IPP410N30NAKSA1 Penjualan
IPP410N30NAKSA1 Pemasok
IPP410N30NAKSA1 Distributor
IPP410N30NAKSA1 Tabel data
IPP410N30NAKSA1 Foto
IPP410N30NAKSA1 Harga
IPP410N30NAKSA1 Menawarkan
IPP410N30NAKSA1 Harga terendah
IPP410N30NAKSA1 Mencari
IPP410N30NAKSA1 Pembelian
IPP410N30NAKSA1 Kepingan