Beli Infineon Technologies IPI60R165CPAKSA1 MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPI60R165CPAKSA1

MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

Nomor Bagian

IPI60R165CPAKSA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Not For New Designs

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO262-3

Disipasi Daya (Maks)

192W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 790µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

52nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28062 PCS

Kontak informasi