Beli Infineon Technologies IPI26CN10N G MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPI26CN10N G

MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Nomor Bagian

IPI26CN10N G

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO262-3

Disipasi Daya (Maks)

71W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 39µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

31nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2070pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26931 PCS

Kontak informasi