Beli Infineon Technologies IPI070N08N3 G MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPI070N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Nomor Bagian

IPI070N08N3 G

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO262-3

Disipasi Daya (Maks)

136W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

80V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 73A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 73µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

56nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3840pF @ 40V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 14005 PCS

Kontak informasi