Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Nomor Bagian
IPI023NE7N3 G
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO262-3
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
75V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 273µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
206nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
-
Vgs (Maks)
-
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13964 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPI023NE7N3 G
IPI023NE7N3 G Komponen elektronik
IPI023NE7N3 G Penjualan
IPI023NE7N3 G Pemasok
IPI023NE7N3 G Distributor
IPI023NE7N3 G Tabel data
IPI023NE7N3 G Foto
IPI023NE7N3 G Harga
IPI023NE7N3 G Menawarkan
IPI023NE7N3 G Harga terendah
IPI023NE7N3 G Mencari
IPI023NE7N3 G Pembelian
IPI023NE7N3 G Kepingan