Beli Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Nomor Bagian

IPD50R650CEBTMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

CoolMOS™

Status Bagian

Discontinued at Digi-Key

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3

Disipasi Daya (Maks)

47W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

500V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6.1A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 150µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

342pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

13V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 51157 PCS

Kontak informasi