Beli Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPD50N03S207ATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Nomor Bagian

IPD50N03S207ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3

Disipasi Daya (Maks)

136W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

7.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 85µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

68nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54679 PCS

Kontak informasi