Beli Infineon Technologies IPD40N03S4L08ATMA1 MOSFET N-CH TO252-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IPD40N03S4L08ATMA1

MOSFET N-CH TO252-3

Nomor Bagian

IPD40N03S4L08ATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

PG-TO252-3-11

Disipasi Daya (Maks)

42W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 13µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1520pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 23455 PCS

Kontak informasi