Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Nomor Bagian
IPB80N04S2H4ATMA1
Pabrikan/Merek
Seri
OptiMOS™
Status Bagian
Discontinued at Digi-Key
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO263-3-2
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
148nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4400pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50924 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IPB80N04S2H4ATMA1
IPB80N04S2H4ATMA1 Komponen elektronik
IPB80N04S2H4ATMA1 Penjualan
IPB80N04S2H4ATMA1 Pemasok
IPB80N04S2H4ATMA1 Distributor
IPB80N04S2H4ATMA1 Tabel data
IPB80N04S2H4ATMA1 Foto
IPB80N04S2H4ATMA1 Harga
IPB80N04S2H4ATMA1 Menawarkan
IPB80N04S2H4ATMA1 Harga terendah
IPB80N04S2H4ATMA1 Mencari
IPB80N04S2H4ATMA1 Pembelian
IPB80N04S2H4ATMA1 Kepingan