IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Nomor Bagian
IPAN65R650CEXKSA1
Pabrikan/Merek
Seri
CoolMOS™
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220 Full Pack
Disipasi Daya (Maks)
28W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
Super Junction
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 210µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
440pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 38821 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IPAN65R650CEXKSA1
IPAN65R650CEXKSA1 Komponen elektronik
IPAN65R650CEXKSA1 Penjualan
IPAN65R650CEXKSA1 Pemasok
IPAN65R650CEXKSA1 Distributor
IPAN65R650CEXKSA1 Tabel data
IPAN65R650CEXKSA1 Foto
IPAN65R650CEXKSA1 Harga
IPAN65R650CEXKSA1 Menawarkan
IPAN65R650CEXKSA1 Harga terendah
IPAN65R650CEXKSA1 Mencari
IPAN65R650CEXKSA1 Pembelian
IPAN65R650CEXKSA1 Kepingan