Beli Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Nomor Bagian

BUZ30AH3045AATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

SIPMOS®

Status Bagian

Discontinued at Digi-Key

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D²PAK (TO-263AB)

Disipasi Daya (Maks)

125W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1900pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42219 PCS

Kontak informasi