Beli Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Nomor Bagian

BSG0810NDIATMA1

Pabrikan/Merek

Infineon Technologies

Seri

OptiMOS™

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Suhu Operasional

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerTDFN

Kekuatan - Maks

2.5W

Paket Perangkat Pemasok

PG-TISON-8

Tipe FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Fitur FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

19A, 39A

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1040pF @ 12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 41861 PCS

Kontak informasi