Beli GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA TRANS SJT 650V 4A TO-257

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO-257

Nomor Bagian

2N7635-GA

Pabrikan/Merek

GeneSiC Semiconductor

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Bulk

Teknologi

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Suhu Operasional

-55°C ~ 225°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-257-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-257

Disipasi Daya (Maks)

47W (Tc)

Tipe FET

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4A (Tc) (165°C)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

415 mOhm @ 4A

Vgs(th) (Maks) @ Id

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

324pF @ 35V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

Vgs (Maks)

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 49117 PCS

Kontak informasi