EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Nomor Bagian
EPC8009
Pabrikan/Merek
Seri
eGaN®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
Die
Paket Perangkat Pemasok
Die
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
65V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
52pF @ 32.5V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23768 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari EPC8009
EPC8009 Komponen elektronik
EPC8009 Penjualan
EPC8009 Pemasok
EPC8009 Distributor
EPC8009 Tabel data
EPC8009 Foto
EPC8009 Harga
EPC8009 Menawarkan
EPC8009 Harga terendah
EPC8009 Mencari
EPC8009 Pembelian
EPC8009 Kepingan