Beli Diodes Incorporated DMT10H010LK3-13 MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

DMT10H010LK3-13

MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Nomor Bagian

DMT10H010LK3-13

Pabrikan/Merek

Diodes Incorporated

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252, (D-Pak)

Disipasi Daya (Maks)

3W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

68.8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2592pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 18807 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

DMT10H010LCT

MOSFET N-CH 100V TO220AB