Beli Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q-13 MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

DMNH10H028SK3Q-13

MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Nomor Bagian

DMNH10H028SK3Q-13

Pabrikan/Merek

Diodes Incorporated

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252

Disipasi Daya (Maks)

2W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

55A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

36nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2245pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28197 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

DMNH10H028SCT

MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T