Beli Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

DMN6013LFG-7

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Nomor Bagian

DMN6013LFG-7

Pabrikan/Merek

Diodes Incorporated

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerWDFN

Paket Perangkat Pemasok

PowerDI3333-8

Disipasi Daya (Maks)

1W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

55.4nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2577pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 49703 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8