Beli Comchip Technology CDBGBSC101200-G DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Cina
Pemasok komponen elektronik profesional

Katalog Pabrikan CN ICs

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

CDBGBSC101200-G

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Nomor Bagian

CDBGBSC101200-G

Pabrikan/Merek

Comchip Technology

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247

Tipe Dioda

Silicon Carbide Schottky

Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If

1.7V @ 5A

Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr

100µA @ 1200V

Konfigurasi Dioda

1 Pair Common Cathode

Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks)

1200V

Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda)

18A (DC)

Kecepatan

No Recovery Time > 500mA (Io)

Waktu Pemulihan Terbalik (trr)

0ns

Suhu Operasional - Persimpangan

-55°C ~ 175°C

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 39692 PCS

Kontak informasi