VBsemi (Wei Bi)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
NTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB
Nomor Bagian
NTJD4401NT1G-VB
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
VBsemi (Wei Bi)
Enkapsulasi
-
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
3000
Keterangan
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 92282 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Kata kunci dari NTJD4401NT1G-VB
NTJD4401NT1G-VB Komponen elektronik
NTJD4401NT1G-VB Penjualan
NTJD4401NT1G-VB Pemasok
NTJD4401NT1G-VB Distributor
NTJD4401NT1G-VB Tabel data
NTJD4401NT1G-VB Foto
NTJD4401NT1G-VB Harga
NTJD4401NT1G-VB Menawarkan
NTJD4401NT1G-VB Harga terendah
NTJD4401NT1G-VB Mencari
NTJD4401NT1G-VB Pembelian
NTJD4401NT1G-VB Kepingan