HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
ES1M
1kV 1A 70ns
Nomor Bagian
ES1M
Kategori
Diodes > Fast Recovery/Ultra Fast Recovery Diodes
Pabrikan/Merek
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Enkapsulasi
SMA
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
2000
Keterangan
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1kV Average rectified current (Io): 1A Forward voltage drop (Vf): 1.7V@1A Reverse current (Ir): 5uA@1kV Reverse recovery time ( trr): 70ns Operating temperature: -65℃~+150℃@(Tj)
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 55780 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari ES1M
ES1M Komponen elektronik
ES1M Penjualan
ES1M Pemasok
ES1M Distributor
ES1M Tabel data
ES1M Foto
ES1M Harga
ES1M Menawarkan
ES1M Harga terendah
ES1M Mencari
ES1M Pembelian
ES1M Kepingan