AGM-Semi (core control source)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Nomor Bagian
AGM210MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pabrikan/Merek
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
DFN3.3x3.3
Sedang mengemas
taping
Jumlah paket
5000
Keterangan
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54280 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari AGM210MAP
AGM210MAP Komponen elektronik
AGM210MAP Penjualan
AGM210MAP Pemasok
AGM210MAP Distributor
AGM210MAP Tabel data
AGM210MAP Foto
AGM210MAP Harga
AGM210MAP Menawarkan
AGM210MAP Harga terendah
AGM210MAP Mencari
AGM210MAP Pembelian
AGM210MAP Kepingan