Beli Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3 MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SUD35N10-26P-T4GE3

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Nomor Bagian

SUD35N10-26P-T4GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252, (D-Pak)

Disipasi Daya (Maks)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

47nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 12V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6619 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SUD35N05-26L-E3

MOSFET N-CH 55V 35A TO252