Beli Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Nomor Bagian

SQD50N05-11L_GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252AA

Disipasi Daya (Maks)

75W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

50V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

52nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2106pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 34884 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252