Beli Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Nomor Bagian

SQ2310ES-T1_GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-236

Disipasi Daya (Maks)

2W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

485pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 8372 PCS

Kontak informasi