Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
Nomor Bagian
SISA96DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
26.5W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1385pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15648 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SISA96DN-T1-GE3
SISA96DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISA96DN-T1-GE3 Penjualan
SISA96DN-T1-GE3 Pemasok
SISA96DN-T1-GE3 Distributor
SISA96DN-T1-GE3 Tabel data
SISA96DN-T1-GE3 Foto
SISA96DN-T1-GE3 Harga
SISA96DN-T1-GE3 Menawarkan
SISA96DN-T1-GE3 Harga terendah
SISA96DN-T1-GE3 Mencari
SISA96DN-T1-GE3 Pembelian
SISA96DN-T1-GE3 Kepingan