Beli Vishay Siliconix SISA26DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Nomor Bagian

SISA26DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

39W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

44nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2247pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+16V, -12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50059 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8