Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIR826BDP-T1-RE3

SIR826BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Nomor Bagian
SIR826BDP-T1-RE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Bagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 83W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
80V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
69nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3030pF @ 40V
Vgs (Maks)
±20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
7.5V, 10V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 7284 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIR826BDP-T1-RE3
SIR826BDP-T1-RE3 Komponen elektronik
SIR826BDP-T1-RE3 Penjualan
SIR826BDP-T1-RE3 Pemasok
SIR826BDP-T1-RE3 Distributor
SIR826BDP-T1-RE3 Tabel data
SIR826BDP-T1-RE3 Foto
SIR826BDP-T1-RE3 Harga
SIR826BDP-T1-RE3 Menawarkan
SIR826BDP-T1-RE3 Harga terendah
SIR826BDP-T1-RE3 Mencari
SIR826BDP-T1-RE3 Pembelian
SIR826BDP-T1-RE3 Kepingan