Beli Vishay Siliconix SIR808DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIR808DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Nomor Bagian

SIR808DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

29.8W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8.9 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

22.8nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

815pF @ 12.5V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10178 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8