Beli Vishay Siliconix SIR662DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIR662DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Nomor Bagian

SIR662DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

96nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4365pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 22750 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8