Beli Vishay Siliconix SIR626LDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Nomor Bagian

SIR626LDP-T1-RE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

135nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5900pF @ 30V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 5525 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8