Beli Vishay Siliconix SIR616DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIR616DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Nomor Bagian

SIR616DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

ThunderFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

50.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

28nC @ 7.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1450pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 5526 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8