Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SIR418DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
39W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
75nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2410pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53442 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIR418DP-T1-GE3
SIR418DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIR418DP-T1-GE3 Penjualan
SIR418DP-T1-GE3 Pemasok
SIR418DP-T1-GE3 Distributor
SIR418DP-T1-GE3 Tabel data
SIR418DP-T1-GE3 Foto
SIR418DP-T1-GE3 Harga
SIR418DP-T1-GE3 Menawarkan
SIR418DP-T1-GE3 Harga terendah
SIR418DP-T1-GE3 Mencari
SIR418DP-T1-GE3 Pembelian
SIR418DP-T1-GE3 Kepingan