Beli Vishay Siliconix SIR412DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIR412DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Nomor Bagian

SIR412DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

3.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

600pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 38339 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8